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IGBT模塊

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Product Name	Package	VCES _Min(V)	IC @ TC=80℃(A)	VCE(sat) _Typ(V)	Eon+Eoff typ. Tj=150℃ （mJ）	Rth(j-c) _Max((℃/W)
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MG200HF12TLC2	C2	1200	200	1.75	48.5	0.12
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MG300HF12TFC2	C2	1200	300	2.25	31.6	0.09
MG300HF12TLC2	C2	1200	300	1.9	57.9	0.09
MG450HF12TFC2	C2	1200	450	2.25	54	0.065
MG450HF12TLC2	C2	1200	450	1.9	75.8	0.065
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MG150P12E2	E2	1200	150	1.9	34.9	0.19
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MG300HF12TLE3	E3	1200	300	1.9	63.6	0.09
MG400HF065TLC2	C2	650	400	1.7	21.5	0.12
MG450HF12TLE3	E3	1200	450	1.85	107.8	0.065
MG75P12E2A	E2A	1200	75	1.85	15.2	0.339
MG50P12E2	E2	1200	50	1.90	13.06	0.52
MG100P12E2	E2	1200	100	1.85	22.6	0.27
MG300HF12E3	E3	1200	300	1.85	62	0.04
MG450HF12E3	E3	1200	450	1.85	91	0.03
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MG15P12P3	P3	1200	15	1.85	2.58	1.05
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MG35P12P3	P3	1200	35	1.85	6.27	0.43
MG10P12E1	E1	1200	10	1.85	2.3	1.25
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MG25P12E1A	E1A	1200	25	1.85	4.58	0.90
MG35P12E1A	E1A	1200	35	1.85	7.66	0.66
MG50P12E1A	E1A	1200	50	1.90	13.06	0.52
MG50P12E2A	E2A	1200	50	1.90	13.06	0.52

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SJ MOSFET SiC MOSFET

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PMBD芯片
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